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IXTQ48N20T

N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET

• 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器;

Littelfuse

力特

IXTQ48N20T

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:301.53 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FQA48N20

200V N-Channel MOSFET

200V N-Channel MOSFET

文件:712.47 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA48N20

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=48A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.05Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

文件:363 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FQAF48N20

200V N-Channel MOSFET

文件:666.22 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

详细参数

  • 型号:

    IXTQ48N20T

  • 功能描述:

    MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
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原装正品 可含税交易
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更多IXTQ48N20T供应商 更新时间2026-1-24 14:00:00