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IXTT50N30 | Advance Technical Information High Current Power MOSFET HighCurrentPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Eas | IXYS IXYS Corporation | IXYS | |
SingleN?묬hannelPowerMOSFET | PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司 | PJSEMI | ||
AdvancedPowerinnovateddesignandsiliconprocesstechnologytoachievethelowestpossibleonresistanceandfastswitchingperformance. SimpleDriveRequirement SmallSize&LowerProfile RoHSCompliant&Halogen-Free | RECTRON Rectron Semiconductor | RECTRON | ||
AvalancheRatedN-channelMOSFET | SSDI Solid States Devices, Inc | SSDI | ||
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AdvancedMOSFETprocesstechnology | SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司 | SILIKRON |
详细参数
- 型号：
IXTT50N30
- 功能描述：
MOSFET 50 Amps 300V 0.065 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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