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IXTT16N10D2

Depletion Mode MOSFET

FEATURES · Drain Current -ID(on)=16A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSX= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 64mΩ(Max)@VGS= 0V APPLICATIONS ·Audio Amplifiers ·Start-up Circuits ·Protection Circuits

文件:374.05 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTT16N10D2

Depletion Mode MOSFET

文件:178.33 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTT16N10D2

N-Channel MOSFET

文件:201.98 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTT16N10D2

N沟道耗尽型MOSFET

• “常开”运行状态\n• 线性模式容限\n• 较低的RDS(on)\n• 可使用体二极管\n• 内部标准封装\n• 拥有UL 94 V-0易燃性认证 成型环氧树脂;

Littelfuse

力特

IXTT16N10D2_17

N-Channel MOSFET

文件:201.98 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXTT16N10D2

  • 功能描述:

    MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXTT16N10D2供应商 更新时间2025-12-11 8:31:00