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IXTT16N10D2

Depletion Mode MOSFET

FEATURES ·DrainCurrent-ID(on)=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSX=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=64mΩ(Max)@VGS=0V APPLICATIONS ·AudioAmplifiers ·Start-upCircuits ·ProtectionCircuits

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXTT16N10D2

Depletion Mode MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTT16N10D2

N-Channel MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTT16N10D2

N沟道耗尽型MOSFET; • “常开”运行状态\n• 线性模式容限\n• 较低的RDS(on)\n• 可使用体二极管\n• 内部标准封装\n• 拥有UL 94 V-0易燃性认证 成型环氧树脂\n;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

IXTT16N10D2_17

N-Channel MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTH16N10D2

N-ChannelMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTH16N10D2

DepletionModeMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

详细参数

  • 型号:

    IXTT16N10D2

  • 功能描述:

    MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
23+
TO-268S
59580
原装正品 华强现货
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IXYS/艾赛斯
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TO-268
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IXYS
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IXYS
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IXYS
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IXYS/艾赛斯
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TO-268
10000
原装现货假一罚十
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IXYS
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TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
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原厂渠道,现货配单
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IXYS
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TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
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原装正品,支持实单
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IXYS
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TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片
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IXYS/艾赛斯
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TO-268
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更多IXTT16N10D2供应商 更新时间2025-7-29 8:31:00