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IXTU01N100	文件：65.48 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode HighVoltageMOSFET N-Channel,EnhancementMode Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-251AA,TO-252AA •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Fastswitchingtimes Applications •Levelshifting •Triggers •Solidstaterelays •Currentre	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTU01N100D	文件：93.01 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET HighVoltageMOSFET N-Channel,DepletionMode Features ●NormallyONmode ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Fastswitchingspeed Applications ●Levelshifting ●Triggers ●Solidstaterelays ●Currentregulators	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTU01N100D	文件：164.45 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP01N100	文件：51.62 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageMOSFET HighVoltageMOSFET N-Channel,DepletionMode Features ●NormallyONmode ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Fastswitchingspeed Applications ●Levelshifting ●Triggers ●Solidstaterelays ●Currentregulators	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTP01N100D	文件：93.01 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel,DepletionModeHighVoltageMOSFET HighVoltageMOSFET N-Channel,DepletionMode Features ●NormallyONmode ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Fastswitchingspeed Applications ●Levelshifting ●Triggers ●Solidstaterelays ●Currentregulators	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTY01N100	文件：65.48 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageMOSFETN-Channel,EnhancementMode HighVoltageMOSFET N-Channel,EnhancementMode Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-251AA,TO-252AA •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Fastswitchingtimes Applications •Levelshifting •Triggers •Solidstaterelays •Currentre	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTY01N100	文件：298.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=80Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTY01N100D	文件：297.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=110Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IXTU01N100
功能描述：
MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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