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IXTT96N15P	文件：583.22 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC96N15P	文件：323.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=26mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFC96N15P	文件：118.11 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS220	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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详细参数

型号：
IXTT96N15P
功能描述：
MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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