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IXTY02N50D	文件：93.27 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode Features ●NormallyONmode ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Fastswitchingspeed Applications ●Levelshifting ●Triggers ●Solidstaterelays ●Currentregulators	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTY02N50D	文件：298 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=30Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTY02N50D_17	文件：213.74 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTY02N50D-TRL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH	IXYS IXYS Corporation	IXYS
02N50	文件：141.36 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
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详细参数

型号：
IXTY02N50D
功能描述：
MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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