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IXTU05N100

High Voltage Power MOSFET

文件:109.99 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTU05N100

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:165.22 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTU05N100

丝印:IPAK;Package:TO-251;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:314.61 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTU05N100

N通道标准MOSFET

• 国际标准包装\n• 快速切换时间\n• 雪崩评级\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 超低的RDS(on);

Littelfuse

力特

IXTU05N100_V01

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:165.22 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

技术参数

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

    17

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

    0.75

  • Gate Charge (nC):

    7.8

  • Thermal resistance [junction-case](K/W):

    3.1

  • Configuration:

    Single

  • Package Type:

    TO-251

  • Typical Reverse Recovery Time (ns):

    710

  • Power Dissipation (W):

    40

  • Sample Request:

    No

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更多IXTU05N100供应商 更新时间2025-12-11 11:27:00