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IXTT52N30P

PolarHT Power MOSFET

Polar™ Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • Fast Intrinsic Rectifier • Avalanche Rated • Low RDS(ON) and QG • Low Package Inductance Advantages • High Power Density • Easy to Mount • Space Savings Applications • Switch-Mode and Resonant-Mode Power Suppli

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IXYS

艾赛斯

IXTT52N30P

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETs

文件:146.19 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTT52N30P_V01

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETs

文件:146.19 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTT52N30P

N通道标准 Polar™ MOSFET

• 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

详细参数

  • 型号:

    IXTT52N30P

  • 功能描述:

    MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXTT52N30P供应商 更新时间2025-10-13 15:30:00