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IXTY10P15T

P通道MOSFET

• 快速本征二极管\n• 较低的Qg和RDSon\n• 雪崩评级\n• 加大的FBSOA\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特

IXTY10P15T

P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件:187.34 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

MMWA10P15K-F

Polyester Film Capacitors

文件:520.809 Kbytes 页数:2 Pages

CDE

MMWA10P15K-F

High Capacitance, High Voltage

文件:74.43 Kbytes 页数:3 Pages

CDE

RFM10P15

P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

P-Channel Enhancement - Mode Power Field-Effect Transistors Features: ■ SOA is power-dissipation limited ■ Nanoseconde switching speeds ■ Linear transfer characteristics ■ High input impedance ■ Majority carrier device

文件:242.88 Kbytes 页数:4 Pages

GESS

详细参数

  • 型号:

    IXTY10P15T

  • 功能描述:

    MOSFET TrenchP Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXTY10P15T供应商 更新时间2025-10-8 8:01:00