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IXTU02N50D

High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode

Features ● Normally ON mode ● Low RDS(on) HDMOSTM process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Fast switching speed Applications ● Level shifting ● Triggers ● Solid state relays ● Current regulators

文件:93.27 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTU02N50D

High Voltage Power MOSFET

文件:213.74 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTU02N50D

N沟道耗尽型MOSFET

• “常开”运行状态\n• 线性模式容限\n• 内部标准封装\n• 拥有UL 94 V-0易燃性认证 成型环氧树脂;

Littelfuse

力特

IXTY02N50D

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=0.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =30Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:298 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTY02N50D

High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode

Features ● Normally ON mode ● Low RDS(on) HDMOSTM process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Fast switching speed Applications ● Level shifting ● Triggers ● Solid state relays ● Current regulators

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IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXTU02N50D

  • 功能描述:

    MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
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TO-251
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IXYS
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更多IXTU02N50D供应商 更新时间2025-11-30 8:01:00