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IXUC200N055

Trench Power MOSFET ISOPLUS220

Trench Power MOSFET ISOPLUS220™ Electrically Isolated Back Surface Features • Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate - High power dissipation - Isolated mounting surface - 2500V electrical isolation • Trench MOSFET - very low RDS(on) - fast switching - usable intr

文件:53.93 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXUC200N055

Trench Power MOSFET ISOPLUS220

Littelfuse

力特

IXYH25N250CHV

TO-247-3

IXYS/LITTELFUSE

上传:深圳市斌腾达科技有限公司

IXYS/LITTELFUSE

IXYK120N120C3

TO-264

IXYN30N170CV1

Module

详细参数

  • 型号:

    IXUC200N055

  • 功能描述:

    MOSFET 200 Amps 55V 4 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXUC200N055供应商 更新时间2026-1-24 10:45:00