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IXYB82N120C3H1

XPT™ Planar IGBT

: • 针对中高开关频率进行了优化\n• 方形RBSOA\n• 短路功能\n• 超快反并联二极管\n• 国际标准封装\n;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Littelfuse

IXYB82N120C3H1

1200V XPTTM IGBT GenX3TM w/ Diode

High-SpeedIGBTfor20-50kHzSwitching Features •OptimizedforLowSwitchingLosses •SquareRBSOA •Anti-ParallelUltraFastDiode •PositiveThermalCoefficientof Vce(sat) •AvalancheRated •HighCurrentHandlingCapability •InternationalStandardPackage Advantages •HighPow

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXYB82N120C3H1

Package:TO-264-3,TO-264AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXYN82N120C3H1

IGBT

DESCRIPTION ·HighCurrentHandlingCapability ·PositiveThermalCoefficientofVce(sat) ·Anti-ParallelUltraFastDiode APPLICATIONS ·SMPS ·MotorDrives ·Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IXYN82N120C3H1

High-SpeedIGBTfor20-50kHzSwitching

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

产品属性

  • 产品编号:

    IXYB82N120C3H1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™, XPT™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,82A

  • 开关能量:

    4.95mJ(开),2.78mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    29ns/192ns

  • 测试条件:

    600V,80A,2 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    PLUS264™

  • 描述:

    IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
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更多IXYB82N120C3H1供应商 更新时间2025-8-1 14:13:00