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IXXH30N60C3D1

XPT™ Planar IGBT

: • 针对中高开关频率进行了优化\n• 方形RBSOA\n• 短路功能\n• 超快反并联二极管\n• 国际标准封装;

Littelfuse

力特

IXXH30N60C3D1

XPTTM 600V IGBT

文件:241.74 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

IXXH30N60C3D1

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 60A 270W TO247

IXYS

艾赛斯

IXGH30N60C3D1

GenX3 600V IGBT with Diode

High-Speed PT IGBTs for 40-100 kHz Switching Features • Optimized for Low Switching Losses • Square RBSOA • Anti-Parallel Ultra Fast Diode • International Standard Packages Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement Applications • High Frequency Power Inverters • UPS

文件:215.46 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGH30N60C3D1

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

文件:839.36 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGT30N60C3D1

GenX3 600V IGBT with Diode

High-Speed PT IGBTs for 40-100 kHz Switching Features • Optimized for Low Switching Losses • Square RBSOA • Anti-Parallel Ultra Fast Diode • International Standard Packages Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement Applications • High Frequency Power Inverters • UPS

文件:215.46 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXXH30N60C3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™, XPT™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,24A

  • 开关能量:

    500µJ(开),270µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    23ns/77ns

  • 测试条件:

    400V,24A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247(IXXH)

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 270W TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXXH30N60C3D1供应商 更新时间2025-12-13 8:12:00