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IXGH30N60C3D1 | GenX3 600V IGBT with Diode High-Speed PT IGBTs for 40-100 kHz Switching Features • Optimized for Low Switching Losses • Square RBSOA • Anti-Parallel Ultra Fast Diode • International Standard Packages Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement Applications • High Frequency Power Inverters • UPS 文件:215.46 Kbytes 页数:7 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXGH30N60C3D1 | 600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications 文件:839.36 Kbytes 页数:4 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXGH30N60C3D1 | PT 高频 IGBT • 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管(可选)\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
IXGH30N60C3D1 | Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 60A 220W TO247 | IXYS 艾赛斯 | IXYS |
产品属性
- 产品编号:
IXGH30N60C3D1
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
GenX3™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,20A
- 开关能量:
270µJ(开),90µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
16ns/42ns
- 测试条件:
300V,20A,5 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 600V 60A 220W TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS |
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