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IXXH75N60B3D1

IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=1.85V@IC=60A · Anti-Parallel Ultra Fast Diode · Avalanche Capability · International Standard Package APPLICATIONS · Synchronous Rectification in SMPS · Automotive Chargers · UPS,PFC · High Voltage Auxiliaries · Welding Machines

文件:287.5 Kbytes 页数:4 Pages

ISC

无锡固电

IXXH75N60B3D1

XPTTM 600V IGBT

文件:192.76 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

IXXH75N60B3D1

XPT™ Planar IGBT

: • 针对中高开关频率进行了优化\n• 方形RBSOA\n• 短路功能\n• 超快反并联二极管\n• 国际标准封装;

Littelfuse

力特

IXXH75N60B3D1

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 160A 750W TO247

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXXH75N60B3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™, XPT™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,60A

  • 开关能量:

    1.7mJ(开),1.5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    35ns/118ns

  • 测试条件:

    400V,60A,5 欧姆,15V

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247(IXXH)

  • 描述:

    IGBT 600V 160A 750W TO247

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更多IXXH75N60B3D1供应商 更新时间2025-11-19 15:53:00