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IXXH75N60B3D1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IXXH75N60B3D1

参数属性

IXXH75N60B3D1 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 160A 750W TO247

功能描述

IGBT

封装外壳

TO-247-3

文件大小

287.5 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-20 15:08:00

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IXXH75N60B3D1规格书详情

DESCRIPTION

· Low Saturation Voltage:VCE(sat)=1.85V@IC=60A

· Anti-Parallel Ultra Fast Diode

· Avalanche Capability

· International Standard Package

APPLICATIONS

· Synchronous Rectification in SMPS

· Automotive Chargers

· UPS,PFC

· High Voltage Auxiliaries

· Welding Machines

产品属性

  • 产品编号:

    IXXH75N60B3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™, XPT™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,60A

  • 开关能量:

    1.7mJ(开),1.5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    35ns/118ns

  • 测试条件:

    400V,60A,5 欧姆,15V

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247(IXXH)

  • 描述:

    IGBT 600V 160A 750W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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