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IXXH30N60B3D1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXXH30N60B3D1
厂商型号

IXXH30N60B3D1

参数属性

IXXH30N60B3D1 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 60A 270W TO247

功能描述

XPTTM 600V IGBT GenX3TM w/ Diode
IGBT 600V 60A 270W TO247

封装外壳

TO-247-3

文件大小

199.2 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
IXYS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 16:57:00

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IXXH30N60B3D1规格书详情

IXXH30N60B3D1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXXH30N60B3D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching

特性 Features

● Optimized for 5-30kHz Switching

● Square RBSOA

● Anti-Parallel Ultra Fast Diode

● Avalanche Capability

● Short Circuit Capability

● International Standard Package

Advantages

● High Power Density

● 175°C Rated

● Extremely Rugged

● Low Gate Drive Requirement

Applications

● Power Inverters

● UPS

● Motor Drives

● SMPS

● PFC Circuits

● Battery Chargers

● Welding Machines

● Lamp Ballasts

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXXH30N60B3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™, XPT™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,24A

  • 开关能量:

    550µJ(开),500µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    23ns/97ns

  • 测试条件:

    400V,24A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247(IXXH)

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 270W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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