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IXYN30N170CV1	文件：300 bytes Page：1 Pages	XPT™ 高电压IGBT • XPT™薄晶圆技术\n• 较低的通态电压VCE(sat)\n• 代加工快速恢复二极管\n• 正温度系数VCE(sat)\n• 国际标准尺寸高压封装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXYN30N170CV1	文件：207.66 Kbytes Page：7 Pages	High Voltage XPT IGBT w/ Diode 文件：207.66 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXYN30N170CV1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-227-4，miniBLOC；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：1700V/85A HIGH VOLTAGE XPT IGBT	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXYX30N170CV1	文件：243.7 Kbytes Page：7 Pages	High Voltage XPT IGBT w/ Diode 文件：243.7 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXYX30N170CV1	文件：202.65 Kbytes Page：7 Pages	Preliminary Technical Information 文件：202.65 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXYN30N170CV1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
XPT™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.7V @ 15V，30A
开关能量：
5.9mJ（开），3.3mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
28ns/150ns
测试条件：
850V，30A，2.7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：
SOT-227B
描述：
1700V/85A HIGH VOLTAGE XPT IGBT

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