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IXTY2N100P | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Polar Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density Applications: 文件：153.99 Kbytes 页数：4 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXTY2N100P | 丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：307.4 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IXTY2N100P | N通道标准 Polar™ MOSFET • 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
1000V N-Channel MOSFET 文件：1.52739 Mbytes 页数：8 Pages | KERSEMI | KERSEMI | ||
1000V N-Channel MOSFET 文件：1.52739 Mbytes 页数：8 Pages | KERSEMI | KERSEMI | ||
1000V N-Channel MOSFET Application » Adaptor « Charger « Power management o SMPS Standby Power 文件：2.94539 Mbytes 页数：5 Pages | TECHPUBLIC 台舟电子 | TECHPUBLIC |
详细参数
- 型号：
IXTY2N100P
- 功能描述：
MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
TO-252 |
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IXYS |
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
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IXYS |
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TO-252 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
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