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IXXH30N65B4	文件：177 Kbytes Page：6 Pages	Preliminary Technical Information	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXXH30N65B4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 65A 230W TO247AD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXXH30N65B4D1	文件：217.42 Kbytes Page：7 Pages	Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXXH30N65B4D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division

产品属性

产品编号：
IXXH30N65B4
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX4™, XPT™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，30A
开关能量：
1.55mJ（开），480µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
32ns/170ns
测试条件：
400V，30A，15 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247（IXXH）
描述：
IGBT 650V 65A 230W TO247AD

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