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IXYH50N120C3D1

High-Speed IGBT

DESCRIPTION · High Current Handling Capability · Positive Thermal Coefficient of Vce(sat) · Anti-Parallel Ultra Fast Diode · Optimized for Low Switching Losses APPLICATIONS · High Power Density · Low Gate Drive Requirement

文件:342.49 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXYH50N120C3D1

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

文件:186.5 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

IXYH50N120C3D1

XPT™ Planar IGBT

: • 针对中高开关频率进行了优化\n• 方形RBSOA\n• 短路功能\n• 超快反并联二极管\n• 国际标准封装;

Littelfuse

力特

IXYH50N120C3D1

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 90A 625W TO247

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXYH50N120C3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™, XPT™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    4V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    3mJ(开),1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    28ns/133ns

  • 测试条件:

    600V,50A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247(IXTH)

  • 描述:

    IGBT 1200V 90A 625W TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXYH50N120C3D1供应商 更新时间2025-12-7 8:12:00