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IXYH50N120C3D1	文件：186.5 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXYH50N120C3D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 90A 625W TO247	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXYR50N120C3D1	文件：197.97 Kbytes Page：7 Pages	1200VXPTTMIGBTGenX3TMw/Diode High-SpeedIGBT for20-50kHzSwitching Features •SiliconChiponDirect-CopperBond (DCB)Substrate •IsolatedMountingSurface •2500V~ElectricalIsolation •OptimizedforLowSwitchingLosses •SquareRBSOA •PositiveThermalCoefficientof Vce(sat) •Anti-ParallelUltraFast	IXYS IXYS Integrated Circuits Division

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IXYH50N120C3D1

文件：186.5 Kbytes

Page：7 Pages

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYH50N120C3D1

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 90A 625W TO247

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYR50N120C3D1

文件：197.97 Kbytes

Page：7 Pages

1200VXPTTMIGBTGenX3TMw/Diode

High-SpeedIGBT for20-50kHzSwitching Features •SiliconChiponDirect-CopperBond (DCB)Substrate •IsolatedMountingSurface •2500V~ElectricalIsolation •OptimizedforLowSwitchingLosses •SquareRBSOA •PositiveThermalCoefficientof Vce(sat) •Anti-ParallelUltraFast

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

产品属性

产品编号：
IXYH50N120C3D1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX3™, XPT™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
4V @ 15V，50A
开关能量：
3mJ（开），1mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
28ns/133ns
测试条件：
600V，50A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247（IXTH）
描述：
IGBT 1200V 90A 625W TO247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IXYH50N120C3D1	IXYS	23+	TO-247-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	IXYH50N120C3D1	Littelfuse/IXYS	新批次	TO-247	4500		询价
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