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IXYR50N120C3D1	文件：197.97 Kbytes Page：7 Pages	1200V XPTTM IGBT GenX3TM w/ Diode High-SpeedIGBT for20-50kHzSwitching Features •SiliconChiponDirect-CopperBond (DCB)Substrate •IsolatedMountingSurface •2500V~ElectricalIsolation •OptimizedforLowSwitchingLosses •SquareRBSOA •PositiveThermalCoefficientof Vce(sat) •Anti-ParallelUltraFast	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXYR50N120C3D1	文件：300 bytes Page：1 Pages	XPT™ Planar IGBT; : • 针对中高开关频率进行了优化\n• 方形RBSOA\n• 短路功能\n• 超快反并联二极管\n• 国际标准封装\n;	ETC	ETC
IXYR50N120C3D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 56A 290W ISOPLUS247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXYH50N120C3D1	文件：342.49 Kbytes Page：2 Pages	High-SpeedIGBT DESCRIPTION ·HighCurrentHandlingCapability ·PositiveThermalCoefficientofVce(sat) ·Anti-ParallelUltraFastDiode ·OptimizedforLowSwitchingLosses APPLICATIONS ·HighPowerDensity ·LowGateDriveRequirement	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXYH50N120C3D1	文件：186.5 Kbytes Page：7 Pages	High-SpeedIGBTfor20-50kHzSwitching	IXYS IXYS Corporation	IXYS

产品属性

产品编号：
IXYR50N120C3D1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX3™, XPT™
包装：
托盘
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
4V @ 15V，50A
开关能量：
3mJ（开），1mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
28ns/133ns
测试条件：
600V，50A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
ISOPLUS247™
描述：
IGBT 1200V 56A 290W ISOPLUS247

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