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IXXK200N65B4

XPT™ 沟槽 IGBT

• 低Vcesat、低Eon/Eoff\n• 针对10kHz至60kHz的中高开关频率进行了优化\n• 高浪涌电流能力和短路能力\n• 方形反向偏压安全工作区 (RBSOA)\n• 正热系数Vcesat;

Littelfuse

力特

IXXK200N65B4

Preliminary Technical Information

文件:238.79 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXXK200N65B4

Package:TO-264-3,TO-264AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 650V 370A 1150W TO264

IXYS

艾赛斯

IXXX200N65B4

IGBT

DESCRIPTION · High Current Handling Capability · Optimized for Low Switching Losses · Low Gate Drive Requirement APPLICATIONS · UPS · SMPS · Motor Drives

文件:348.35 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXXX200N65B4

Preliminary Technical Information

文件:238.79 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXXK200N65B4

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX4™, XPT™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,160A

  • 开关能量:

    4.4mJ(开),2.2mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    62ns/245ns

  • 测试条件:

    400V,100A,1 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    TO-264(IXXK)

  • 描述:

    IGBT 650V 370A 1150W TO264

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXXK200N65B4供应商 更新时间2025-10-18 10:18:00