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IXXN110N65B4H1	文件：223.2 Kbytes Page：7 Pages	XPTTM 650V GenX4TM XPT™650VGenX4™w/SonicDiode ExtremeLightPunchThroughIGBTfor10-30kHzSwitching Features •InternationalStandardPackage •miniBLOC,withAluminiumNitrideIsolation •2500V~IsolationVoltage •Anti-ParallelSonicDiode •Optimizedfor10-30kHzSwitching •SquareRBSOA •ShortC	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXXN110N65B4H1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC 类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXXK110N65B4H1	文件：267.32 Kbytes Page：7 Pages	XPTTM650VGenX4TM ExtremeLightPunchThroughIGBTfor10-30kHzSwitching Features ●Optimizedfor10-30kHzSwitching ●SquareRBSOA ●ShortCircuitCapability ●Anti-ParallelSonicDiode ●HighCurrentHandlingCapability ●InternationalStandardPackages Advantages ●HighPowerDensity ●LowGateDrive	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXXR110N65B4H1	文件：240.83 Kbytes Page：7 Pages	XPTTM650VGenX4TM Features •SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate •IsolatedMountingSurface •2500V~ElectricalIsolation •Optimizedfor10-30kHzSwitching •SquareRBSOA •ShortCircuitCapability •Anti-ParallelSonicDiode •HighCurrentHandlingCapability Applications •PowerInverte	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXXX110N65B4H1	文件：376.5 Kbytes Page：4 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.1V@IC=110A ·FastSwitching ·HighRuggedness ·EnhancedAvalancheCapability APPLICATIONS ·Converterwithhighswitchingfrequency ·WeldingConverters ·UPS,PFC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXXX110N65B4H1	文件：267.32 Kbytes Page：7 Pages	XPTTM650VGenX4TM ExtremeLightPunchThroughIGBTfor10-30kHzSwitching Features ●Optimizedfor10-30kHzSwitching ●SquareRBSOA ●ShortCircuitCapability ●Anti-ParallelSonicDiode ●HighCurrentHandlingCapability ●InternationalStandardPackages Advantages ●HighPowerDensity ●LowGateDrive	IXYS IXYS Integrated Circuits Division

产品属性

产品编号：
IXXN110N65B4H1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
系列：
XPT™, GenX4™
包装：
散装
IGBT 类型：
PT
配置：
单路
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，110A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
无
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：
SOT-227B
描述：
IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B

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中天科工半导体（深圳）有限公司	IXXN110N65B4H1	IXYS	23+	SOT-227-4,miniBLOC	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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