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IXYP50N65C3	文件：269.36 Kbytes Page：6 Pages	Preliminary Technical Information 文件：269.36 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
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IXYP50N65C3	文件：300 bytes Page：1 Pages	XPT™ Planar IGBT : • 针对中高开关频率进行了优化\n• 方形RBSOA\n• 短路功能\n• 超快反并联二极管\n• 国际标准封装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXYP50N65C3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 130A 600W TO220	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXYP50N65C3
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX3™, XPT™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，36A
开关能量：
1.3mJ（开），370µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/80ns
测试条件：
400V，36A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
IGBT 650V 130A 600W TO220

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