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IXTY1R6N50D2

N沟道耗尽型MOSFET

• “常开”运行状态\n• 线性模式容限\n• 较低的RDS(on)\n• 可使用体二极管\n• 内部标准封装\n• 拥有UL 94 V-0易燃性认证 成型环氧树脂;

Littelfuse

力特

IXTY1R6N50D2

Depletion Mode MOSFET

文件:185.24 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTA1R6N50D2

Depletion Mode MOSFET

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IXYS

艾赛斯

IXTP1R6N50D2

Depletion Mode MOSFET

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IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXTY1R6N50D2

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH MOSFETS(D2) 500V 1.6A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXTY1R6N50D2供应商 更新时间2025-10-12 16:36:00