N通道沟槽栅 Gen2 MOSFET

• 高电流性能（高达600A）\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能;

Littelfuse

力特

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

文件：211.07 Kbytes 页数：6 Pages

IXYS

艾赛斯

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

文件：189.16 Kbytes 页数：6 Pages

IXYS

艾赛斯

TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET

文件：184.04 Kbytes 页数：6 Pages

IXYS

艾赛斯

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 550A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.3mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Converters · Faster Switching

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ISC

无锡固电