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IXTN550N055T2	文件：515.539 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 550A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.3mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Converters · Faster Switching 文件：515.539 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTN550N055T2	文件：184.04 Kbytes Page：6 Pages	TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET 文件：184.04 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTN550N055T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道沟槽栅MOSFET • 高电流性能（高达600A）\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTX550N055T2	文件：189.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode 文件：189.16 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTZ550N055T2	文件：211.07 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode 文件：211.07 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

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深圳市易讯博科技有限公司	IXTN550N055T2	IXYS	22+	NA	27	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
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北京光敏源科技有限公司	IXTN550N055T2	德国艾赛斯	2022+	IGBT 模块	17000	只做原装，可提供样品	询价
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江苏芯钻时代电子科技有限公司	IXTN550N055T2	IXYS	24+	MODULE	1000	全新原装现货	询价

更多IXTN550N055T2供应商更新时间2026-1-31 15:51:00