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IXTK550N055T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道沟槽栅MOSFET • 高电流性能（高达600A）\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTK550N055T2	文件：189.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode 文件：189.16 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTN550N055T2	文件：515.539 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 550A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.3mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Converters · Faster Switching 文件：515.539 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTN550N055T2	文件：184.04 Kbytes Page：6 Pages	TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET 文件：184.04 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTX550N055T2	文件：189.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode 文件：189.16 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

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更多IXTK550N055T2供应商更新时间2026-1-29 10:19:00