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IXTY08N100P	文件：158.83 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：158.83 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTY08N100P	文件：263.36 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：263.36 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTY08N100P	文件：308.25 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：308.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTY08N100P_V01	文件：263.36 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：263.36 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTY08N100P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道标准MOSFET • 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
20
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
0.8
Gate Charge (nC)：
11.3
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
3
Configuration：
Single
Package Type：
TO-252
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
750
Power Dissipation (W)：
42
Sample Request：
Yes
Check Stock：
Yes

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