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IXTV26N60P	文件：294.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTV26N60P	文件：236.59 Kbytes Page：5 Pages	PolarHV Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV26N60PS	文件：236.59 Kbytes Page：5 Pages	PolarHV Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
SIHFP26N60L	文件：159.36 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDriveRequirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFP26N60L	文件：444.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHFP26N60L	文件：226.66 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHH26N60E	文件：195.34 Kbytes Page：9 Pages	Kelvinconnectionforreducedgatenoise	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHH26N60EF	文件：201.76 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES •Completelylead(Pb)-freedevice •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vish	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHH26N60EF	文件：201.1 Kbytes Page：9 Pages	Reducedswitchingandconductionlosses	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IXTV26N60P
功能描述：
MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXTV26N60P供应商更新时间2025-7-20 10:02:00

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