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IXTV22N60P	文件：293.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTV22N60P	文件：320.27 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV22N60PS	文件：320.27 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
SIHA22N60AE	文件：154.04 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHA22N60AE	文件：319.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHA22N60AE	文件：140.97 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHA22N60E	文件：180.44 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHA22N60E	文件：319.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHA22N60EF	文件：160.98 Kbytes Page：8 Pages	EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHA22N60EL	文件：169.97 Kbytes Page：8 Pages	ELSeriesPowerMOSFET FEATURES •Reducedfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Lowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Se	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IXTV22N60P
功能描述：
MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华来深电子有限公司	IXTV22N60P	IXYS	23+	TO-220-3	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IXTV22N60P	IXYS	22+	TO2203 Short Tab	9000	原厂渠道,现货配单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IXTV22N60P	IXYS/艾赛斯	23+	PLUS220	6000	原装正品，支持实单	询价
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深圳市星辰微电科技有限公司	IXTV22N60P	IXYS(艾赛斯)	23+	N/A	7500	IXYS(艾赛斯)全系列在售	询价
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深圳市一线半导体有限公司	IXTV230N085T	IXYS	24+	PLUS-220	100		询价
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更多IXTV22N60P供应商更新时间2025-7-23 14:12:00

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