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IXTY1N80P	文件：167.56 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
1N80	文件：163.67 Kbytes Page：6 Pages	1.0Amps,800VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N80	文件：182.22 Kbytes Page：6 Pages	1A,800VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BRS1N80	文件：991.35 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-92PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
D1N80	文件：140.44 Kbytes Page：4 Pages	RectifierDiode	SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD 新电元（上海）电器有限公司	SHINDENGEN
FQD1N80	文件：760.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET800V,1.0A,20 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD1N80	文件：1.27683 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET800V,1.0A,20廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD1N80	文件：635.94 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD1N80	文件：305.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQD1N80TF	文件：760.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET800V,1.0A,20 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD1N80TM	文件：1.27683 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET800V,1.0A,20廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQT1N80	文件：802.93 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQT1N80TF	文件：814.18 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET800V,0.2A,20 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQT1N80TFWS	文件：802.93 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU1N80	文件：1.27683 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET800V,1.0A,20廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU1N80	文件：760.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET800V,1.0A,20 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU1N80	文件：635.94 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU1N80	文件：330.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQU1N80TU	文件：1.27683 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET800V,1.0A,20廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HFC1N80	文件：774.18 Kbytes Page：7 Pages	800VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW

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详细参数

型号：
IXTY1N80P
功能描述：
MOSFET POLAR MOSFET WITH REDUCED RDS 800V 1A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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