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IXTT68P20T

P通道MOSFET

• 快速本征二极管\n• 较低的Qg和RDSon\n• 雪崩评级\n• 加大的FBSOA\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特

IXTT68P20T

P-Channel Enhancement Mode

文件:185.66 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTH68P20T

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= -68@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 55mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Switched mode power supplies,audio amplifier, DC motor control,and variable switching power applications.

文件:322.99 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTH68P20T

P-Channel Enhancement Mode

文件:185.66 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXTT68P20T

  • 功能描述:

    MOSFET TrenchP Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
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更多IXTT68P20T供应商 更新时间2025-10-4 10:19:00