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IXTU01N80	文件：68.38 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage MOSFET HighVoltageMOSFET N-Channel,EnhancementMode Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-251AA,TO-252AA •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Fastswitchingtimes Applications •Levelshifting •Triggers •Solidstaterelays •Currentre	IXYS IXYS Corporation	IXYS
CJD01N80	文件：710.08 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJU01N80	文件：796.82 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CJU01N80	文件：546.31 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
IXTY01N80	文件：299.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=50Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTY01N80	文件：68.38 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageMOSFET HighVoltageMOSFET N-Channel,EnhancementMode Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-251AA,TO-252AA •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Fastswitchingtimes Applications •Levelshifting •Triggers •Solidstaterelays •Currentre	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
IXTU01N80
功能描述：
MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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