IXTY01N80中文资料IXYS数据手册PDF规格书
IXTY01N80规格书详情
High Voltage MOSFET
N-Channel, Enhancement Mode
特性 Features
• International standard packages JEDEC TO-251 AA, TO-252 AA
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Fast switching times
Applications
• Level shifting
• Triggers
• Solid state relays
• Current regulators
产品属性
- 型号:
IXTY01N80
- 功能描述:
MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO252 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-252AA(DPAK) |
112321 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYS |
22+23+ |
TO252 |
8000 |
新到现货,只做原装进口 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
NA |
1960 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
询价 | ||
24+ |
N/A |
82000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
20+ |
TO-252 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |