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IXTR210P10T

P-Channel Enhancement Mode

IXYS

IXYS Corporation

ET210P10-Z

StandardSizeToggleSwitch

COPALCopal Electronics

尼得科科智博电子尼得科科智博电子(上海)有限公司

IXTK210P10T

P-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTK210P10T

TrenchedP-ChannelMOSFET

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-210A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.5mΩ(Max)@VGS=-10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PowerFactorCorrection(PFC)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXTN210P10T

P-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-210A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.5mΩ(Max)@VGS=-10V ·Fast-recoverybodydiode APPLICATIONS ·DCChoppers ·AutomaticTestEquipment ·BatteryChargerApplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXTN210P10T

P-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicRectifierminiBLOC

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

IXTX210P10T

P-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

详细参数

  • 型号:

    IXTR210P10T

  • 功能描述:

    MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXTR210P10T供应商 更新时间2025-7-21 10:20:00