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IXTQ52N30P	文件：588.11 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT Power MOSFET Polar™PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •FastIntrinsicRectifier •AvalancheRated •LowRDS(ON)andQG •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •SpaceSavings Applications •Switch-ModeandResonant-ModePowerSuppli	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ52N30P	文件：301.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •DrainSourceVoltage-:VDSS=300V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=66mΩ(Max) •FastSwitching •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switch-ModeandResonant-ModePowerS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTQ52N30P	文件：146.19 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC52N30P	文件：322.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFC52N30P	文件：97.5 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTTMHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH52N30P	文件：190.5 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTPowerMOSFETHiPerFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackages •Fastrecoverydiode •Avalancherated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH52N30P	文件：195.18 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH52N30P	文件：371.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=52A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=73mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH52N30Q	文件：372.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=52A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=60mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH52N30Q	文件：70.63 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowtLowGateChargeandCapacitances N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr LowGateChargeandCapacitances Features •Lowgatecharge •Internationalstandardpackages •EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOS™process •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Avalanche	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
IXTQ52N30P
功能描述：
MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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