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IXTQ69N30P

PolarHT Power MOSFET

文件:107.23 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTQ69N30PM

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

文件:149.42 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTQ69N30P

N通道标准 Polar™ MOSFET

• 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

IXTQ69N30PM

N通道标准 Polar™ MOSFET

• 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

详细参数

  • 型号:

    IXTQ69N30P

  • 功能描述:

    MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
24+
TO-3P
3580
原装现货/15年行业经验欢迎询价
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IXYS
24+
TO-3P
7911
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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IXYS
25+
QFN
18000
原厂直接发货进口原装
询价
IXYS
24+
TO-3P
8866
询价
IXYS
23+
TO-3P
5000
原装正品,假一罚十
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IXYS
18+
TO-3P
85600
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IXYS
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IXYS
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更多IXTQ69N30P供应商 更新时间2025-10-10 13:36:00