N通道标准 Polar™ MOSFET

• 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

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IXYS

艾赛斯

PolarHT Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 69A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 49mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

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ISC

无锡固电

Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯