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IXTQ64N25P	文件：341.63 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=64A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=49mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply ·PowerFactorCorrection(PFC)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTQ64N25P	文件：577.29 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ64N25	文件：577.29 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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详细参数

型号：
IXTQ64N25P
功能描述：
MOSFET 64 Amps 250V 0.049 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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