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IXTQ200N10T

TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件:175.47 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTQ200N10T

TrenchMVTM Power MOSFET

文件:175.47 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTQ200N10T

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:300.64 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTQ200N10T

N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET

• 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器;

Littelfuse

力特

详细参数

  • 型号:

    IXTQ200N10T

  • 功能描述:

    MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXTQ200N10T供应商 更新时间2026-1-26 15:14:00