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IXTT20P50P	文件：360.25 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -20A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.45Ω(Max)@VGS= -10V APPLICATIONS · Automatic Test Equipment · High-Side Switches · Current Regulators · DC Choppers 文件：360.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTT20P50P	文件：134.31 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：134.31 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTT20P50P	文件：300 bytes Page：1 Pages	P通道MOSFET • 快速本征二极管\n• Rugged PolarP™工艺\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 动态dv/dt额定;	Littelfuse 力特	Littelfuse
V20P50P	文件：1.71269 Mbytes Page：12 Pages	Reduced footprint and volume required for surge protection 文件：1.71269 Mbytes 页数：12 Pages	LITTELFUSE 力特	LITTELFUSE

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.45
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
-20
Gate Charge (nC)：
103
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.27
Configuration：
Single
Package Type：
TO-268S
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
406
Power Dissipation (W)：
460
Sample Request：
Yes
Check Stock：
Yes

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深圳市中联芯电子有限公司	IXTT20P50P	IXYS/艾赛斯	25+	TO-268AA	600	只做原装正品，可长期订货	询价
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