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IXTQ22N50P	文件：200.68 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features Internationalstandardpackages UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages Easytomount Spacesavings Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ22N50P	文件：203.96 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTM Power MOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features Internationalstandardpackages UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages Easytomount Spacesavings Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ22N50P	文件：322.34 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTV22N50P	文件：280.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackaging •Withlowgatedriverequirements •Easytodrive •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTV22N50P	文件：200.68 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features Internationalstandardpackages UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages Easytomount Spacesavings Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV22N50PS	文件：200.68 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features Internationalstandardpackages UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages Easytomount Spacesavings Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JCS22N50FC	文件：1.62343 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitch modepowersupplies Electroniclampballasts basedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical40pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
KSM22N50N	文件：1.81196 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFP22N50A	文件：342.34 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SiHFP22N50A	文件：319.79 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IXTQ22N50P
功能描述：
MOSFET 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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