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IXTQ200N10T中文资料IXYS数据手册PDF规格书

IXTQ200N10T
厂商型号

IXTQ200N10T

功能描述

TrenchMVTM Power MOSFET

文件大小

175.47 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 22:59:00

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产品属性

  • 型号:

    IXTQ200N10T

  • 功能描述:

    MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
TO-247
9486
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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IXYS/艾赛斯
24+
NA/
30
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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TO-3P
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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IXYS/艾赛斯
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100000
代理渠道/只做原装/可含税
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IXYS(艾赛斯)全系列在售
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IXYS/艾赛斯
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IXYS
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IXYS
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1983
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