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IXTQ180N085T中文资料艾赛斯数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
IXTQ180N085T
- 功能描述：
MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
1931+ |
N/A |
49 |
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IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-3P |
10000 |
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IXYS |
22+ |
NA |
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24+ |
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IXYS |
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TO-3P |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO-3P |
50000 |
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IXYS |
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TO-3P |
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IXYS |
22+ |
TO3P3 SC653 |
9000 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-3P |
10000 |
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IXYS |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
