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IXTQ180N085T	文件：303.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTQ180N085T	文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFK180N085	文件：51.77 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Ap	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFR180N085	文件：42.06 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET-TMPowerMOSFETsISOPLUS247-TM(ElectricallyIsolatedBackSurface) HiPerFET™PowerMOSFETsISOPLUS247™(ElectricallyIsolatedBackSurface) SingleMOSFETDie Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFR180N085	文件：330.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFX180N085	文件：368.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFX180N085	文件：51.77 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Ap	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTA180N085T	文件：299.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTA180N085T	文件：219.77 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTC180N085T	文件：187.98 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicRectifier	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTC180N085T	文件：296.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTH180N085T	文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTH180N085T	文件：383.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTP180N085T	文件：219.77 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTP180N085T	文件：295.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

型号：
IXTQ180N085T
功能描述：
MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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