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IXTQ180N10T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET • 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTQ180N10T	文件：301.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：301.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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NDBA180N10B	文件：345.15 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDPL180N10B	文件：595.58 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：595.58 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
IXTQ180N10T
功能描述：
MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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