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NDBA180N10B

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:345.15 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NDBA180N10B

N-Channel Power MOSFET

文件:727.68 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDBA180N10BT4H

N-Channel Power MOSFET

文件:727.68 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDBA180N10B

N-Channel Power MOSFET

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安森美半导体

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更多NDBA180N10B供应商 更新时间2026-1-29 14:02:00