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NDPL180N10B

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:296.55 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NDPL180N10B

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

文件:1.61424 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

NDPL180N10B

N-Channel Power MOSFET

文件:595.58 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDPL180N10BG

N-Channel Power MOSFET

文件:595.58 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDPL180N10B

N-Channel Power MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

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更多NDPL180N10B供应商 更新时间2025-12-10 14:02:00